مرجع MOS: مجموعه‌ای از مقاومت‌های لایه‌کربنی یک‌چهارم وات که سی مقدار رایج از ۱۰ اهم تا ۱ مگااهم را در بر می‌گیرد. برای ساخت نمونهٔ اولیه و طراحی مدار ناگزیر است.